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CSD19503KCS

Name: Texas Instruments CSD19503KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19503KCS
Price: 96.44 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

595-CSD19503KCS

製造商編號：

CSD19503KCS

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

規格書:

CSD19503KCS 規格書

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$96.44	NT$96.44
	NT$52.34	NT$523.40
	NT$42.30	NT$4,230.00
	NT$35.03	NT$17,515.00
	NT$33.05	NT$33,050.00
	NT$29.72	NT$74,300.00
	NT$26.96	NT$134,800.00
	NT$26.64	NT$266,400.00
25,000	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	100 A
Rds On - 漏-源電阻:	9.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.8 V
Qg - 閘極充電:	28 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	188 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Tube
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	2 ns
互導 - 最小值:	110 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	3 ns
系列:	CSD19503KCS
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	11 ns
標準開啟延遲時間:	7 ns
每件重量:	2 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CSD19503KCS 規格書

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 中國

出貨時，國家可能會有所變更。

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NexFET™功率MOSFET

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