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CSD23280F3T

Name: Texas Instruments CSD23280F3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23280F3T
Price: 51.27 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-CSD23280F3T

製造商編號：

CSD23280F3T

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3

規格書:

CSD23280F3T 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 2,664

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個250）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$51.27	NT$51.27
	NT$32.34	NT$323.40
	NT$18.50	NT$1,850.00
完整捲（訂購多個250）
	NT$18.50	NT$4,625.00
	NT$15.74	NT$7,870.00
	NT$14.12	NT$14,120.00
	NT$13.52	NT$33,800.00
	NT$13.19	NT$65,950.00
	NT$12.73	NT$127,300.00
	NT$12.51	NT$312,750.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD23280F3

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$12.19

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD23280F3

說明：

MOSFET -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3T

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PICOSTAR-3
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	12 V
Id - C連續漏極電流:	1.8 A
Rds On - 漏-源電阻:	250 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, 6 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	950 mV
Qg - 閘極充電:	950 pC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	500 mW
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	PicoStar
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	8 ns
互導 - 最小值:	3 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4 ns
系列:	CSD23280F3
原廠包裝數量:	250
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	21 ns
標準開啟延遲時間:	8 ns
每件重量:	0.300 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CSD23280F3T 規格書

PCN

Product Change Notification (PDF)

SPICE Models

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合規守則

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.