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CSD25484F4T

Name: Texas Instruments CSD25484F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25484F4T
Price: 55.21 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

595-CSD25484F4T

製造商編號：

CSD25484F4T

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4

規格書:

CSD25484F4T 規格書

ECAD模型:

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總價:

NT$-.--

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包裝:

完整捲（訂購多個250）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$55.21	NT$55.21
	NT$34.77	NT$347.70
	NT$20.00	NT$2,000.00
完整捲（訂購多個250）
	NT$20.00	NT$5,000.00
	NT$17.06	NT$8,530.00
	NT$15.34	NT$15,340.00
	NT$14.70	NT$36,750.00
	NT$14.56	NT$72,800.00
	NT$14.05	NT$140,500.00
	NT$13.80	NT$345,000.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD25484F4

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$16.49

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD25484F4

說明：

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PICOSTAR-3
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	20 V
Id - C連續漏極電流:	2.5 A
Rds On - 漏-源電阻:	825 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 12 V, 12 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.2 V
Qg - 閘極充電:	1.09 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	500 mW
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	FemtoFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	8.5 ns
互導 - 最小值:	3.5 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	5 ns
系列:	CSD25484F4
原廠包裝數量:	250
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	18 ns
標準開啟延遲時間:	9.5 ns
每件重量:	0.400 mg

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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

SPICE Models

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合規守則

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.