CSD85301Q2

Name: Texas Instruments CSD85301Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD85301Q2
Price: 28.9 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

595-CSD85301Q2

製造商編號：

CSD85301Q2

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T

規格書:

CSD85301Q2 規格書

ECAD模型:

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MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$28.90	NT$28.90
	NT$17.78	NT$177.80
	NT$11.59	NT$1,159.00
	NT$9.04	NT$4,520.00
	NT$8.02	NT$8,020.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$6.26	NT$18,780.00
	NT$5.75	NT$34,500.00
	NT$5.00	NT$45,000.00
	NT$4.83	NT$115,920.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD85301Q2T

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$58.48

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD85301Q2T

說明：

MOSFET Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	WSON-FET-6
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	20 V
Id - C連續漏極電流:	8 A
Rds On - 漏-源電阻:	27 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	600 mV
Qg - 閘極充電:	5.4 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	2.3 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Dual
下降時間:	15 ns, 15 ns
互導 - 最小值:	20 S, 20 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	26 ns, 26 ns
系列:	CSD85301Q2
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2 N-Channel
標準斷開延遲時間:	14 ns, 14 ns
標準開啟延遲時間:	6 ns, 6 ns
每件重量:	9.700 mg

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TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。