CSD87313DMST

Texas Instruments
595-CSD87313DMST
CSD87313DMST

製造商:

說明:
MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

ECAD模型:
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包裝:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™
NT$98.94 NT$98.94
NT$67.66 NT$676.60
NT$38.08 NT$3,808.00
完整捲(訂購多個250)
NT$38.08 NT$9,520.00
NT$33.18 NT$16,590.00
NT$32.06 NT$32,060.00
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
WSON-8
N-Channel
2 Channel
30 V
17 A
5.5 mOhms
- 10 V, 10 V
600 mV
28 nC
- 55 C
+ 150 C
2.7 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Texas Instruments
配置: Dual
下降時間: 13 ns, 13 ns
互導 - 最小值: 149 S, 149 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 27 ns, 27 ns
系列: CSD87313DMS
原廠包裝數量: 250
子類別: Transistors
晶體管類型: 2 N-Channel
標準斷開延遲時間: 41 ns, 41 ns
標準開啟延遲時間: 9 ns, 9 ns
每件重量: 5.500 mg
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷,讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻,需要極低的閘極電荷,並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.