DRV3245AEPHPRQ1

Name: Texas Instruments DRV3245AEPHPRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV3245AEPHPRQ1
Price: 370.69 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-DRV3245AEPHPRQ1

製造商編號：

DRV3245AEPHPRQ1

製造商：

Texas Instruments

說明：

電機/運動/點火控制器及驅動器 Automotive grade 0 1 2-V battery 3-phase

規格書:

DRV3245AEPHPRQ1 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Texas Instruments DRV3245AEPHPRQ1的資訊

庫存量: 1,000

庫存：: 1,000 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 26 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個1000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$370.69	NT$370.69
	NT$346.31	NT$3,463.10
	NT$322.29	NT$8,057.25
	NT$315.12	NT$31,512.00
完整捲（訂購多個1000）
	NT$273.89	NT$273,890.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	電機/運動/點火控制器及驅動器
RoHS:
產品:	Brushless DC Motor Controllers
類型:	3 Phase
輸出電流:	1 A
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	HTQFP-48
資格:	AEC-Q100
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
濕度敏感:	Yes
輸出數:	6 Output
操作頻率:	20 kHz
產品類型:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
系列:	DRV3245E
原廠包裝數量:	1000
子類別:	PMIC - Power Management ICs
電源電壓 - 最大值:	45 V
電源電壓 - 最小值:	4.5 V
每件重量:	251.300 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

DRV3245AEPHPRQ1 規格書

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

合規守則

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國台灣
封裝原產國:: 中國台灣
擴散國:: 美國

出貨時，國家可能會有所變更。

DRV3245E-Q1 3-phase Automotive Gate Driver Unit

Texas Instruments DRV3245E-Q1 3-phase Automotive Gate Driver Unit (GDU) offers high-performance current sensing for three-phase motor-drive applications. The DRV3245E-Q1 is intended for high-temperature automotive applications and is designed according to the applicable requirements of ISO 26262 for functional safety applications. The device features three half-bridge drivers, each capable of driving a high-side and low-side N-channel MOSFET, concurrently providing enhanced FET protection and monitoring.