DRV8300DIPWR

Name: Texas Instruments DRV8300DIPWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8300DIPWR
Price: 54.4 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-DRV8300DIPWR

製造商編號：

DRV8300DIPWR

製造商：

Texas Instruments

說明：

閘極驅動器 100-V max simple 3-p hase gate driver wi

規格書:

DRV8300DIPWR 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Texas Instruments DRV8300DIPWR的資訊

庫存量: 1,365

庫存：: 1,365 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 6 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$54.40	NT$54.40
	NT$34.00	NT$340.00
	NT$29.58	NT$739.50
	NT$23.19	NT$2,319.00
	NT$20.54	NT$5,135.00
	NT$18.43	NT$9,215.00
	NT$16.73	NT$16,730.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$15.13	NT$45,390.00
	NT$13.46	NT$80,760.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	閘極驅動器
RoHS:
產品:	Half-Bridge Drivers
類型:	High-Side, Low-Side
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TSSOP-20
驅動器數:	3 Driver
輸出數:	6 Output
輸出電流:	750 mA
電源電壓 - 最小值:	5 V
電源電壓 - 最大值:	20 V
配置:	Inverting
上升時間:	24 ns
下降時間:	12 ns
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
系列:	DRV8300
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
開發套件:	DRV8300DIPW-EVM
邏輯類型:	CMOS
濕度敏感:	Yes
產品類型:	Gate Drivers
傳輸延遲 - 最大值:	180 ns
關機:	No Shutdown
原廠包裝數量:	3000
子類別:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

DRV8300DIPWR 規格書

Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers

Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300D/DRV8300D-Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. The DRV8300N generates the correct gate drive voltages using an external bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 gate drive architecture supports peak up to 750mA source and 1.5A sink currents.