DRV8300DPWR

Name: Texas Instruments DRV8300DPWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8300DPWR
Price: 37.06 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

595-DRV8300DPWR

製造商編號：

DRV8300DPWR

製造商：

Texas Instruments

說明：

閘極驅動器 100-V max simple 3-p hase gate driver wi

規格書:

DRV8300DPWR 規格書

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$37.06	NT$37.06
	NT$26.79	NT$267.90
	NT$24.21	NT$605.25
	NT$21.35	NT$2,135.00
	NT$19.99	NT$4,997.50
	NT$18.46	NT$9,230.00
	NT$16.76	NT$16,760.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$15.98	NT$47,940.00
	NT$13.46	NT$80,760.00

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	閘極驅動器
RoHS:
產品:	Half-Bridge Drivers
類型:	High-Side, Low-Side
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TSSOP-20
驅動器數:	3 Driver
輸出數:	6 Output
輸出電流:	750 mA
電源電壓 - 最小值:	5 V
電源電壓 - 最大值:	20 V
配置:	Non-Inverting
上升時間:	24 ns
下降時間:	12 ns
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
系列:	DRV8300
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
開發套件:	DRV8300DIPW-EVM
邏輯類型:	CMOS
濕度敏感:	Yes
產品類型:	Gate Drivers
傳輸延遲 - 最大值:	180 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si

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規格書

DRV8300DPWR 規格書

Application Notes

PCN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers

Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300D/DRV8300D-Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. The DRV8300N generates the correct gate drive voltages using an external bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 gate drive architecture supports peak up to 750mA source and 1.5A sink currents.