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UCC27211DR

Name: Texas Instruments UCC27211DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27211DR
Price: 75.48 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-UCC27211DR

製造商編號：

UCC27211DR

製造商：

Texas Instruments

說明：

閘極驅動器 120V Boot 4A Peak Hi Freq Hi/Lo-Side Drv A 595-UCC27211D

規格書:

UCC27211DR 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 1,482

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個2500）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$75.48	NT$75.48
	NT$56.10	NT$561.00
	NT$51.34	NT$1,283.50
	NT$45.90	NT$4,590.00
	NT$43.18	NT$10,795.00
	NT$41.82	NT$20,910.00
	NT$40.46	NT$40,460.00
完整捲（訂購多個2500）
	NT$38.76	NT$96,900.00
	NT$37.74	NT$188,700.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

UCC27211D

包裝:

Tube

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$107.44

最小值:

相似產品

製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

UCC27211D

說明：

閘極驅動器 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side Drvr

壽命週期:

壽命結束: 計劃停產且製造商將停止供貨。

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	閘極驅動器
RoHS:
產品:	MOSFET Gate Drivers
類型:	High-Side, Low-Side
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOIC-8
驅動器數:	2 Driver
輸出數:	2 Output
輸出電流:	4 A
電源電壓 - 最小值:	8 V
電源電壓 - 最大值:	17 V
上升時間:	7.2 ns
下降時間:	5.5 ns
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 140 C
系列:	UCC27211
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	MY
產品類型:	Gate Drivers
原廠包裝數量:	2500
子類別:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si
每件重量:	76 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

UCC27211DR 規格書

Images

Models

UCC27211DR Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

Technical Resources

UCC27211 TINA-TI Transient Reference Design

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.