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UCC28782ARTWR

Name: Texas Instruments UCC28782ARTWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC28782ARTWR
Price: 71.06 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-UCC28782ARTWR

製造商編號：

UCC28782ARTWR

製造商：

Texas Instruments

說明：

開關控制器 High-density flyback controller for acti A 595-UCC28782ARTWT

規格書:

UCC28782ARTWR 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 1,109

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$71.06	NT$71.06
	NT$52.70	NT$527.00
	NT$47.94	NT$1,198.50
	NT$42.84	NT$4,284.00
	NT$40.46	NT$10,115.00
	NT$38.76	NT$19,380.00
	NT$37.74	NT$37,740.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$36.38	NT$109,140.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

UCC28782ARTWT

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$94.52

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

UCC28782ARTWT

說明：

開關控制器 High-density flyback controller for acti A 595-UCC28782ARTWR

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	開關控制器
RoHS:
拓撲學:	Flyback
輸出數:	1 Output
交換頻率:	1.5 MHz
佔空比 - 最大:	99 %
輸出電壓:	19.95 V
輸出電流:	3.25 A
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	WQFN-24
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
開發套件:	UCC28782EVM-030
下降時間:	32 ns
絕緣:	Isolated
運作供電電流:	235 uA
工作電源電壓:	14 V to 34 V
輸出功率:	70 W
產品:	High Density Active Clamp Flyback Controllers
產品類型:	Switching Controllers
上升時間:	1 us
系列:	UCC28782
關機:	Shutdown
原廠包裝數量:	3000
子類別:	PMIC - Power Management ICs

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

UCC28782ARTWR 規格書

Application Notes

PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

UCC28782 Active-Clamp Flyback (ACF) Controllers

Texas Instruments UCC28782 High-Density Active-Clamp Flyback (ACF) Controller is designed for USB Type C™ PD applications. The device allows for efficiencies of over 93% by recovering the leakage inductance energy and adaptive ZVS tracking over the full load range. With a maximum frequency of 1.5MHz, the magnetics can be minimized. Frequency dithering helps to improve the EMI margin. The UCC28782 also integrates dynamic bias power management to optimize the gate drive for Si or GaN MOSFETs.