GT30J121(Q)

Toshiba
757-GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

製造商:

說明:
IGBT 600V/30A DIS

ECAD模型:
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庫存量: 82

庫存:
82 可立即送貨
工廠前置作業時間:
18 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$144.16 NT$144.16
NT$95.20 NT$952.00
NT$66.98 NT$6,698.00
NT$55.08 NT$27,540.00
NT$51.68 NT$51,680.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
30 A
170 W
- 55 C
+ 150 C
GT30J121
Tube
品牌: Toshiba
集電極最大連續電流Ic : 30 A
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 100
子類別: IGBTs
每件重量: 6.756 g
找到產品:
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99