TK39A60W,S4VX

Toshiba
757-TK39A60WS4VX
TK39A60W,S4VX

製造商：

說明：
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$344.76 NT$344.76
NT$192.10 NT$1,921.00
NT$177.14 NT$17,714.00
NT$165.58 NT$82,790.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
38.8 A
55 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
110 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 9 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 50 ns
系列: TK39A60W
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 200 ns
標準開啟延遲時間: 80 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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