TK3A65D(STA4,Q,M)

Toshiba
757-TK3A65DSTA4QM
TK3A65D(STA4,Q,M)

製造商:

說明:
MOSFET N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

ECAD模型:
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庫存量: 145

庫存:
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工廠前置作業時間:
32 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$69.02 NT$69.02
NT$35.36 NT$353.60
NT$33.52 NT$3,352.00
NT$24.41 NT$12,205.00
NT$20.84 NT$20,840.00
NT$19.75 NT$98,750.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
3 A
2.25 Ohms
- 30 V, 30 V
2.4 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
MOSVII
Tube
品牌: Toshiba
配置: Single
產品類型: MOSFETs
系列: TK3A65D
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.