TK5A90E,S4X

Toshiba
757-TK5A90ES4X
TK5A90E,S4X

製造商:

說明:
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

ECAD模型:
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庫存量: 156

庫存:
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最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$75.48 NT$75.48
NT$37.74 NT$377.40
NT$35.02 NT$3,502.00
NT$26.69 NT$13,345.00
NT$23.02 NT$23,020.00
NT$22.17 NT$110,850.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
900 V
4.5 A
3.1 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MOSVII
Tube
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 15 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 25 ns
系列: TK5A90E
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 80 ns
標準開啟延遲時間: 55 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.