TK70J20D,S1Q

Toshiba
757-TK70J20DS1Q
TK70J20D,S1Q

製造商：

說明：
MOSFET N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 90

庫存：
90 可立即送貨
工廠前置作業時間：
20 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$289.00 NT$289.00
NT$210.46 NT$2,104.60
NT$175.10 NT$17,510.00
NT$155.72 NT$77,860.00
NT$138.72 NT$138,720.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel
1 Channel
200 V
70 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
160 nC
- 55 C
+ 150 C
410 W
Enhancement
MOSVII
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 745 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 230 ns
原廠包裝數量: 25
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 105 ns
標準開啟延遲時間: 155 ns
每件重量: 4.600 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。