TPH3R10AQM,LQ

Name: Toshiba TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R10AQMLQ
Price: 99.3 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

757-TPH3R10AQMLQ

製造商編號：

TPH3R10AQM,LQ

製造商：

Toshiba

說明：

MOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

規格書:

TPH3R10AQM,LQ 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Toshiba TPH3R10AQM,LQ的資訊

庫存量: 18,187

庫存：: 18,187 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 17 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個5000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$99.30	NT$99.30
	NT$64.17	NT$641.70
	NT$44.10	NT$4,410.00
	NT$35.24	NT$17,620.00
	NT$32.87	NT$32,870.00
	NT$32.34	NT$80,850.00
完整捲（訂購多個5000）
	NT$28.61	NT$143,050.00
	NT$26.82	NT$268,200.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOP-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	120 A
Rds On - 漏-源電阻:	3.1 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	83 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	210 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Toshiba
下降時間:	30 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	26 ns
系列:	U-MOS X-H
原廠包裝數量:	5000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	104 ns
標準開啟延遲時間:	45 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

TPH3R10AQM,LQ 規格書 (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 馬來西亞
封裝原產國:: 馬來西亞
擴散國:: 日本

出貨時，國家可能會有所變更。

80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (R_DS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (C_iss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (C_OSS) lowers the output charge (Q_OSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.