XPQR8308QB,LXHQ

Name: Toshiba XPQR8308QB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPQR8308QBLXHQ
Price: 197.2 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

757-XPQR8308QBLXHQ

製造商編號：

XPQR8308QB,LXHQ

製造商：

Toshiba

說明：

MOSFET L-TOGL N-CH 80V 350A

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

XPQR8308QB,LXHQ 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$197.20	NT$197.20
	NT$137.70	NT$1,377.00
	NT$111.52	NT$11,152.00
	NT$98.94	NT$49,470.00
	NT$85.00	NT$85,000.00
完整捲（訂購多個1500）
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	2-10AG1A
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	350 A
Rds On - 漏-源電阻:	830 uOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.5 V
Qg - 閘極充電:	305 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	750 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Toshiba
配置:	Single
下降時間:	100 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	85 ns
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	335 ns
標準開啟延遲時間:	130 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

L-TOGL與S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N通道MOSFET

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