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IRFRC20PBF-BE3

Name: Vishay IRFRC20PBF-BE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-IRFRC20PBF-BE3
Price: 83.98 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

78-IRFRC20PBF-BE3

製造商編號：

IRFRC20PBF-BE3

製造商：

Vishay Semiconductors

說明：

MOSFET TO252 600V 2A N-CH MOSFET

規格書:

IRFRC20PBF-BE3 規格書

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$83.98	NT$83.98
	NT$55.42	NT$554.20
	NT$38.08	NT$3,808.00
	NT$30.46	NT$15,230.00
	NT$29.78	NT$29,780.00
	NT$24.99	NT$74,970.00
	NT$24.68	NT$222,120.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	2 A
Rds On - 漏-源電阻:	4.4 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	18 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	42 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Bulk
品牌:	Vishay Semiconductors
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	TW
下降時間:	25 ns
互導 - 最小值:	1.4 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	23 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	23 ns
標準開啟延遲時間:	10 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.