HGTP10N120BN

512-HGTP10N120BN
HGTP10N120BN

製造商：

說明：
IGBT 35A 1200V N-Ch

壽命週期:
作廢
規格書:
ECAD模型:
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供貨情況

庫存：

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
付運限制：
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RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.45 V
- 20 V, 20 V
35 A
298 W
- 55 C
+ 150 C
HGTP10N120BN
Tube
品牌: onsemi
集電極最大連續電流Ic : 35 A
柵射極漏電電流: +/- 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 800
子類別: IGBTs
零件號別名: HGTP10N120BN_NL
每件重量: 1.800 g
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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