NSVT5551MR6T1G

onsemi
863-NSVT5551MR6T1G
NSVT5551MR6T1G

製造商:

說明:
雙極結晶體管 - BJT NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 2,441

庫存:
2,441 可立即送貨
工廠前置作業時間:
10 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$31.96 NT$31.96
NT$19.72 NT$197.20
NT$13.46 NT$1,346.00
NT$10.61 NT$5,305.00
NT$9.08 NT$9,080.00
完整捲(訂購多個3000)
NT$7.45 NT$22,350.00
NT$6.83 NT$40,980.00
NT$6.32 NT$56,880.00
NT$5.95 NT$142,800.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 雙極結晶體管 - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSOT-23-6
NPN
Dual
160 V
180 V
6 V
700 mW
300 MHz
+ 150 C
NSVT5551M
Reel
Cut Tape
品牌: onsemi
連續集電極電流: 600 mA
直流集電極/增益 hfe 最小值: 80 at 1 mA, 5 V
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

USHTS:
8541210075
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

NSVT5551M Bipolar Transistor

onsemi NSVT5551M Bipolar Transistor is an AEC-Q101 qualified NPN general-purpose low VCE(sat) amplifier. This NPN bipolar transistor has matched dies and operates at -55°C to 150°C storage temperature range. The NSVT5551M BJT Pb-free, halogen-free, BFR-free, and RoHS-compliant. This transistor is generally used for many different applications.