GS61008P-E05-MR

499-GS61008P-E05-MR
GS61008P-E05-MR

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 No longer available. Order GS61008P-MR

壽命週期:
作廢
規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
Mouser目前不在您的地區出售本產品。

供貨情況

庫存：

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 氮化鎵場效應管
付運限制：
 Mouser目前不在您的地區出售本產品。
RoHS:  
SMD/SMT
GaNPX-4
N-Channel
1 Channel
100 V
90 A
9.5 mOhms
- 10 V, + 7 V
1.7 V
8 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品: MOSFETs
產品類型: GaN FETs
系列: GS6100x
原廠包裝數量: 250
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: E-HEMT Power Transistor
每件重量: 4.675 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國台灣
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。