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T2G4005528-FS

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Mouser 編號：

772-T2G4005528-FS

製造商編號：

T2G4005528-FS

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

壽命週期:

受限供貨情況:

Mouser 目前不提供該部件編號。產品可能僅為有限分銷或是工廠指定訂單。

規格書:

T2G4005528-FS 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

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Mouser目前不在您的地區出售本產品。

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
付運限制：	Mouser目前不在您的地區出售本產品。
RoHS:
封裝/外殼:	NI-360
晶體管極性:	N-Channel
品牌:	Qorvo
增益:	16 dB
最大工作頻率:	3.5 GHz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	55 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
系列:	T2G4005528
原廠包裝數量:	100
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	HEMT
類型:	GaN SiC HEMT
零件號別名:	T2G4005528 1099993

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

T2G4005528-FS 規格書 (PDF)

PCN

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合規守則

CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 美國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.