NXH030P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH030P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH030P12M3F1PTG
Price: 2605.76 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NXH030P12M3F1PTG

製造商編號：

NXH030P120M3F1PTG

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET模組 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

NXH030P120M3F1PTG 規格書

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$2,605.76	NT$2,605.76
	NT$2,167.50	NT$21,675.00
	NT$1,974.04	NT$221,092.48

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	PIM-18
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	42 A
Rds On - 漏-源電阻:	38.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.4 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	100 W
系列:	NXH030P120M3F1PTG
封裝:	Tray
品牌:	onsemi
配置:	Half-Bridge
下降時間:	9.4 ns
高度:	12.35 mm
長度:	63.3 mm
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	6.6 ns
原廠包裝數量:	28
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	EliteSiC
類型:	Half Bridge
標準斷開延遲時間:	84.8 ns
標準開啟延遲時間:	19.6 ns
寬度:	34.1 mm

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NXH030P120M3F1PTG 規格書

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

onsemi NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules contain 8mΩ/1200V, 10mΩ/1200V, 15mΩ/1200V, and 30mΩ/1200V M3S SiC MOSFETs based on half-bridge topology and a thermistor in a F1 package. These modules feature pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The NXH0xxP120M3F1 modules are designed with press-fit pins and are Pb-free, Halide-free, and RoHS-compliant. These power modules are used in solar inverters, industrial power, Electric Vehicle (EV) charging stations, and Uninterruptible Power Supplies (UPS).