NXH030P120M3F1PTG

onsemi
863-NXH030P12M3F1PTG
NXH030P120M3F1PTG

製造商：

說明：
MOSFET模組 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

壽命週期:
Mouser新產品
規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$2,513.80 NT$2,513.80
NT$2,096.15 NT$20,961.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Screw Mount
PIM-18
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
42 A
38.5 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
- 40 C
+ 150 C
100 W
NXH030P120M3F1PTG
Tray
品牌: onsemi
配置: Half-Bridge
下降時間: 9.4 ns
高度: 12.35 mm
長度: 63.3 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 6.6 ns
原廠包裝數量: 28
子類別: Discrete and Power Modules
公司名稱: EliteSiC
類型: Half Bridge
標準斷開延遲時間: 84.8 ns
標準開啟延遲時間: 19.6 ns
寬度: 34.1 mm
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

合規守則
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
中國
擴散國:
大韓民國
出貨時，國家可能會有所變更。

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

onsemi NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules contain 8mΩ/1200V, 10mΩ/1200V, 15mΩ/1200V, and 30mΩ/1200V M3S SiC MOSFETs based on half-bridge topology and a thermistor in a F1 package. These modules feature pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The NXH0xxP120M3F1 modules are designed with press-fit pins and are Pb-free, Halide-free, and RoHS-compliant. These power modules are used in solar inverters, industrial power, Electric Vehicle (EV) charging stations, and Uninterruptible Power Supplies (UPS).

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