BSM180C12P2E202

Name: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180C12P2E202
Price: 20575.78 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-BSM180C12P2E202

製造商編號：

BSM180C12P2E202

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET模組 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02

規格書:

BSM180C12P2E202 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$20,575.78	NT$20,575.78
	NT$20,397.96	NT$244,775.52

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	Module
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	204 A
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.6 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.36 kW
系列:	BSMx
封裝:	Tray
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	32 ns
高度:	15.4 mm
If - 順向電流:	180 A
長度:	152 mm
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	36 ns
原廠包裝數量:	4
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	SiC Power Module
標準斷開延遲時間:	139 ns
標準開啟延遲時間:	49 ns
Vf - 順向電壓:	1.6 V
Vr - 反向電壓:	1.2 kV
寬度:	62 mm

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規格書

BSM180C12P2E202 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.