BSM180D12P3C007

ROHM Semiconductor
755-BSM180D12P3C007
BSM180D12P3C007

製造商：

說明：
MOSFET模組 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

規格書:
ECAD模型:
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NT$-.--
總價:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$19,149.82 NT$19,149.82
NT$19,146.42 NT$229,757.04

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
180 A
- 4 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
880 W
BSMx
Tray
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降時間: 50 ns
高度: 21.1 mm
長度: 122 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 70 ns
原廠包裝數量: 12
子類別: Discrete and Power Modules
類型: SiC Power Module
標準斷開延遲時間: 165 ns
標準開啟延遲時間: 50 ns
Vr - 反向電壓: 1.2 kV
寬度: 45.6 mm
每件重量: 302.171 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8504901900
USHTS:
8541590080
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

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SiC Power Modules

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