BSM450D12P4G102

Name: ROHM Semiconductor BSM450D12P4G102
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM450D12P4G102
Price: 26194.96 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-BSM450D12P4G102

製造商編號：

BSM450D12P4G102

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET模組 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

規格書:

BSM450D12P4G102 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$26,194.96	NT$26,194.96
	NT$22,810.94	NT$273,731.28

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	Module
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	447 A
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.8 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.45 kW
封裝:	Bulk
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Dual
下降時間:	90 ns
長度:	152 mm
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	80 ns
原廠包裝數量:	4
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	SiC Power Module
標準斷開延遲時間:	430 ns
標準開啟延遲時間:	100 ns
寬度:	62 mm

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

BSM450D12P4G102 規格書 (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.