CDF56G6511N TR13 PBFREE

Central Semiconductor
610-CDF56G6511NTR13P
CDF56G6511N TR13 PBFREE

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 650V, 11A, N-Channel GaN FET

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於Central Semiconductor CDF56G6511N TR13 PBFREE的資訊

庫存量: 2,157

庫存：
2,157 可立即送貨
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$166.94 NT$166.94
NT$129.88 NT$1,298.80
NT$93.50 NT$9,350.00
NT$91.12 NT$45,560.00
NT$86.36 NT$86,360.00
完整捲（訂購多個2500）
NT$74.12 NT$185,300.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Central Semiconductor
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
11.5 A
190 mOhms
- 1.4 V, + 7 V
2.5 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
84 W
Depletion
品牌: Central Semiconductor
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 4 ns
最大工作頻率: 100 kHz
最低工作頻率: 0 Hz
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品類型: GaN FETs
上升時間: 4 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
技術: GaN
標準斷開延遲時間: 1.7 ns
標準開啟延遲時間: 1.4 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。