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CGHV40180F

Name: MACOM CGHV40180F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40180F
Price: 13822.02 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

941-CGHV40180F

製造商編號：

CGHV40180F

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT

規格書:

CGHV40180F 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$13,822.02	NT$13,822.02
	NT$11,996.90	NT$119,969.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	440223
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	125 V
Id - C連續漏極電流:	18 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 3.8 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	150 W
品牌:	MACOM
開發套件:	CGHV40180F-TB1
增益:	20.3 dB
最大工作頻率:	1 GHz
最低工作頻率:	50 MHz
輸出功率:	180 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	25
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V, 2 V
每件重量:	25.676 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CGHV40180F 規格書 (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.