DMN53D0U-7

Name: Diodes Incorporated DMN53D0U-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0U-7
Price: 4.42 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

621-DMN53D0U-7

製造商編號：

DMN53D0U-7

製造商：

Diodes Incorporated

說明：

MOSFET N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs

規格書:

DMN53D0U-7 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Diodes Incorporated DMN53D0U-7的資訊

庫存量: 5,111

庫存：: 5,111

可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
在途量:: 6,000

預期2026/7/20
工廠前置作業時間：: 24

週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$4.42	NT$4.42
	NT$3.06	NT$30.60
	NT$2.48	NT$248.00
	NT$2.14	NT$2,140.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$1.43	NT$4,290.00
	NT$1.33	NT$7,980.00
	NT$1.22	NT$10,980.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Diodes Incorporated
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOT-23-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	50 V
Id - C連續漏極電流:	300 mA
Rds On - 漏-源電阻:	2 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 12 V, 12 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	400 mV
Qg - 閘極充電:	600 pC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	520 mW
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降時間:	14 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	2.8 ns
系列:	DMN53
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	21 ns
標準開啟延遲時間:	2.1 ns
每件重量:	8 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

DMN53D0U-7 規格書 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.