FDT86246

Name: onsemi FDT86246
Brand: onsemi
SKU: 512-FDT86246
Price: 73.85 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

512-FDT86246

製造商編號：

FDT86246

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

規格書:

FDT86246 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOT-223-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	2 A
Rds On - 漏-源電阻:	236 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	4 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	2.2 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	PowerTrench
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	onsemi
配置:	Single
互導 - 最小值:	5 S
產品類型:	MOSFETs
系列:	FDT86246
原廠包裝數量:	4000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
每件重量:	112 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

FDT86246 規格書

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 馬來西亞
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.

N溝道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor N溝道PowerTrench® MOSFET採用Fairchild Semiconductor的先進PowerTrench®製程生產，通過特别定制以將導通電阻減至最低，同時亦能維持卓越的開關性能。Fairchild Semiconductor N溝道PowerTrench® MOSFET有多種不同的漏極到源極電壓規格，從30V至250V供選擇。

FDD10N20LZ及FDD7N25LZ是N溝道增強模式功率場效電晶體，使用Fairchild專有的平面條形DMOS技術製造。該先進技術經專門定制以使導通電阻減至最低，並供卓越的開關性能，且能承受在雪崩及變換模式中的高能源脈衝。這些設備最適用於高效能轉換模式電源供應器及主動式功率係數校正。

FDMC6296是在專為在負載點轉換器中具有卓越性能而設計、封裝於高熱效能的MicroFET中的單個N溝道MOSFET。本設備提供r_DS(on)及閘極電荷之間最佳平衡，可有效作為「高側」控制開關或「低側」同步整流器。
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