Name: onsemi FFSP1065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP1065B
Price: 134.64 TWD
Availability: InStock

說明：

碳化矽肖特基二極管 SIC DIODE 650V 10A

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$134.64	NT$134.64
	NT$88.06	NT$880.60
	NT$64.94	NT$6,494.00
	NT$57.46	NT$28,730.00
	NT$51.34	NT$51,340.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-2
配置:	Single
If - 順向電流:	10 A
Vrrm - 重複反向電壓:	650 V
Vf - 順向電壓:	1.38 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	45 A
Ir - 反向電流:	40 uA
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	FFSP1065B
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
Pd - 功率消耗 :	75 W
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	50
子類別:	Diodes & Rectifiers
公司名稱:	EliteSiC
Vr - 反向電壓:	650 V
每件重量:	3.698 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

FFSP1065B 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSP SiC蕭特基二極體

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