FGH40T120SQDNL4

onsemi
863-FGH40T120SQDNL4
FGH40T120SQDNL4

製造商：

說明：
IGBT IGBT 1200V 40A UFS

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 259

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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$340.34 NT$340.34
NT$201.62 NT$2,016.20
NT$179.18 NT$17,918.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
1.2 kV
1.78 V
- 20 V, 20 V
160 A
454 W
- 55 C
+ 175 C
FGH40T120SQDNL4
Tube
品牌: onsemi
柵射極漏電電流: 200 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 450
子類別: IGBTs
每件重量: 9.195 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3,  TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.

儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量，供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力，以便在需要時使用。

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