GCMX003A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX003A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX003A120S3B1N
Price: 8116.82 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

148-GCMX003A120S3B1N

製造商編號：

GCMX003A120S3B1-N

製造商：

SemiQ

說明：

MOSFET模組 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

GCMX003A120S3B1-N 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$8,116.82	NT$8,116.82
	NT$7,673.12	NT$76,731.20
105	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	SemiQ
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	S3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	625 A
Rds On - 漏-源電阻:	5.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	2.113 kW
系列:	GCMX
封裝:	Bulk
品牌:	SemiQ
下降時間:	28 ns
高度:	30 mm
長度:	106.4 mm
產品:	Modules
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	21 n
原廠包裝數量:	15
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	Half Bidge Module
標準斷開延遲時間:	138 ns
標準開啟延遲時間:	79 ns
Vf - 順向電壓:	4 V
寬度:	61.4 mm

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

GCMX003A120S3B1-N 規格書 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模組

SemiQ GCMX 1200 V SiC MOSFET半橋模組具有低開關損耗、低結至外殼熱阻，並且非常堅固且易於安裝。這些模組直接安裝散熱片（隔離封裝）並包含開爾文基準以確保穩定運作。所有零件均經過嚴格測試，可承受1350V以上的電壓。這些模組的突出特點是穩健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模組的工作結溫為175°C，並符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統和高壓DC-DC轉換器。