GCMX080A120B2H2P

Name: SemiQ GCMX080A120B2H2P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080A120B2H2P
Price: 1091.4 TWD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

148-GCMX080A120B2H2P

製造商編號：

GCMX080A120B2H2P

製造商：

SemiQ

說明：

MOSFET模組 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

GCMX080A120B2H2P 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於SemiQ GCMX080A120B2H2P的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 20 週工廠預計生產時間。

輸入數量：

最少： 40 多個： 40

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,091.40	NT$43,656.00
	NT$954.72	NT$114,566.40
520	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	SemiQ
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Press Fit
封裝/外殼:	B2
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	4 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	27 A
Rds On - 漏-源電阻:	100 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	119 W
系列:	GCMX
封裝:	Bulk
品牌:	SemiQ
下降時間:	12 ns
高度:	15 mm
長度:	62.8 mm
產品:	Modules
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	5 ns
原廠包裝數量:	40
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	Full Bridge Module
標準斷開延遲時間:	22 ns
標準開啟延遲時間:	11 ns
Vf - 順向電壓:	4.2 V
寬度:	33.8 mm

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

GCMX080A120B2H2P 規格書 (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1200V SiC MOSFET全橋模組

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET全橋模組具有低開關損耗、低結至外殼熱阻，並且非常堅固且易於安裝。這些模組直接安裝散熱片（隔離封裝）並包含開爾文基準以確保穩定運作。所有零件均經過嚴格測試，可承受1350V以上的電壓。這些模組的標誌特徵是穩健的1200V漏源電壓。GCMX全橋模組的工作結溫為175°C，並符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能係統和高壓DC-DC轉換器。