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IGT65R025D2ATMA1

Name: Infineon IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGT65R025D2ATMA1
Price: 398.48 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-IGT65R025D2ATMA1

製造商編號：

IGT65R025D2ATMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 650 V G5

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

IGT65R025D2ATMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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庫存量: 1,432

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在途量:: 2,000

預期2026/4/2
工廠前置作業時間：: 18

週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$398.48	NT$398.48
	NT$324.36	NT$3,243.60
	NT$270.30	NT$27,030.00
	NT$241.06	NT$120,530.00
	NT$226.78	NT$226,780.00
完整捲（訂購多個2000）
	NT$192.44	NT$384,880.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PG-HSOF-8
晶體管極性:	HEMT
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	70 A
Rds On - 漏-源電阻:	30 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.6 V
Qg - 閘極充電:	11 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	236 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolGaN
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降時間:	9 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	Transistors
產品類型:	GaN FETs
上升時間:	12 ns
系列:	650V G5
原廠包裝數量:	2000
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	CoolGaN Transistor
標準斷開延遲時間:	18 ns
標準開啟延遲時間:	11 ns
零件號別名:	IGT65R025D2 SP006026239

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IGT65R025D2ATMA1 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.