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IKW08N120CS7XKSA1

Name: Infineon IKW08N120CS7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW08N120CS7XKSA
Price: 145.18 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-IKW08N120CS7XKSA

製造商編號：

IKW08N120CS7XKSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

IGBT 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

規格書:

IKW08N120CS7XKSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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在途量:: 240

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$145.18	NT$145.18
	NT$81.60	NT$816.00
	NT$63.24	NT$6,324.00
	NT$54.06	NT$25,948.80
	NT$53.04	NT$63,648.00
	NT$51.00	NT$134,640.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	IGBT
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-247-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	1.2 kV
集電極-發射極飽和電壓:	1.65 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	21 A
Pd - 功率消耗 :	106 W
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	IGBT7 S7
封裝:	Tube
品牌:	Infineon Technologies
柵射極漏電電流:	100 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	240
子類別:	IGBTs
公司名稱:	TRENCHSTOP
零件號別名:	IKW08N120CS7 SP005419704

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IKW08N120CS7XKSA1 規格書 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IGBT7 Discretes

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