IKW20N60T

Name: Infineon IKW20N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW20N60T
Price: 125.46 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-IKW20N60T

製造商編號：

IKW20N60T

製造商：

Infineon Technologies

說明：

IGBT LOW LOSS DuoPack 600V 20A

規格書:

IKW20N60T 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$125.46	NT$125.46
	NT$81.60	NT$816.00
	NT$63.92	NT$6,392.00
	NT$53.38	NT$25,622.40
	NT$45.90	NT$55,080.00
	NT$43.52	NT$114,892.80

備用包裝

製造商元件編號:

IKW20N60TFKSA1

包裝:

Tube

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$117.64

最小值:

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製造商：

Infineon Technologies

製造商編號：

IKW20N60TFKSA1

說明：

IGBT LOW LOSS DuoPack 600V 20A

與當前零件比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-247-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	600 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.5 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	41 A
Pd - 功率消耗 :	166 W
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	Trenchstop IGBT3
封裝:	Tube
品牌:	Infineon Technologies
柵射極漏電電流:	100 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	240
子類別:	IGBTs
公司名稱:	TRENCHSTOP
零件號別名:	SP000054886 IKW2N6TXK IKW20N60TFKSA1
每件重量:	38 g

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所選屬性: 0

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規格書

IKW20N60T 規格書 (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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