IPD220N06L3GATMA1

Infineon Technologies
726-IPD220N06L3GATM1
IPD220N06L3GATMA1

製造商:

說明:
MOSFET IFX FET 60V

ECAD模型:
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庫存量: 3,992

庫存:
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16 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$40.12 NT$40.12
NT$25.30 NT$253.00
NT$16.76 NT$1,676.00
NT$13.23 NT$6,615.00
NT$12.00 NT$12,000.00
完整捲(訂購多個2500)
NT$10.34 NT$25,850.00
NT$9.15 NT$45,750.00
NT$8.91 NT$89,100.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
30 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
7 nC
- 55 C
+ 175 C
36 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
下降時間: 3 ns
互導 - 最小值: 16 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 3 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 19 ns
標準開啟延遲時間: 9 ns
零件號別名: IPD220N06L3 G SP005559927
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 3 N通道MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 N通道MOSFET具有低導通狀態電阻,且採用SuperSO8無鉛封裝。OptiMOS 3 MOSFET將工業、消費電子和電訊應用中的功率密度提高達百分之50。OptiMOS™ 3具有40V、60V和80V N通道MOSFET,及SuperSO8和Shrink SuperSO8 (S3O8)封裝型號。相較於標準電晶體輪廓(TO)封裝,SuperSO8將功率密度提高達百分之50。