IPW95R130PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW95R130PFD7XKS
IPW95R130PFD7XKSA1

製造商：

說明：
MOSFET HIGH POWER_NEW

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$177.82 NT$177.82
NT$176.46 NT$1,764.60
NT$108.46 NT$2,711.50
NT$96.22 NT$9,622.00
NT$90.44 NT$21,705.60
NT$87.04 NT$41,779.20
5,040 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
36.5 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
141 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 3.6 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 14 ns
系列: IPW95R130PFD7
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 118 ns
標準開啟延遲時間: 25 ns
零件號別名: IPW95R130PFD7 SP005547004
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

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