IPW95R310PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW95R310PFD7XKS
IPW95R310PFD7XKSA1

製造商：

說明：
MOSFET LOW POWER_NEW

規格書:
ECAD模型:
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工廠前置作業時間：
13
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$117.64 NT$117.64
NT$112.88 NT$1,128.80
NT$63.24 NT$1,581.00
NT$52.70 NT$5,270.00
NT$50.32 NT$12,076.80
NT$42.16 NT$20,236.80
NT$38.76 NT$46,512.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
17.5 A
310 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 10 ns
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 61 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
零件號別名: SP005547006
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

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