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IRF540NSTRLPBF

Name: Infineon IRF540NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF540NSTRLPBF
Price: 69.36 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

942-IRF540NSTRLPBF

製造商編號：

IRF540NSTRLPBF

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC

規格書:

IRF540NSTRLPBF 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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庫存量: 13,179

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在途量:: 9,600

預期2026/8/13
工廠前置作業時間：: 26

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個800）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$69.36	NT$69.36
	NT$42.50	NT$425.00
	NT$30.02	NT$3,002.00
	NT$29.95	NT$14,975.00
完整捲（訂購多個800）
	NT$19.28	NT$15,424.00
	NT$18.36	NT$44,064.00
24,800	報價

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

IRF540NSTRRPBF

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$73.10

最小值:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	33 A
Rds On - 漏-源電阻:	44 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	47.3 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	3.8 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
產品類型:	MOSFETs
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
每件重量:	4 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IRF540NSTRLPBF 規格書 (PDF)

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF540NS

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.