IS66WV51216EBLL-55TLI

ISSI
870-66WV512EBLL55TLI
IS66WV51216EBLL-55TLI

製造商：

說明：
SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$130.56 NT$130.56
NT$121.72 NT$1,217.20
NT$117.98 NT$2,949.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: SRAM
RoHS:  
8 Mbit
512 k x 16
55 ns
Parallel
3.6 V
2.5 V
28 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
品牌: ISSI
濕度敏感: Yes
產品類型: SRAM
系列: IS66WV51216EBLL
原廠包裝數量: 135
子類別: Memory & Data Storage
每件重量: 2.870 g
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所選屬性: 0

規格書

Models

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232019
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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