IS66WVC4M16EALL-7010BLI

ISSI
870-66WV4M16EA70BLI
IS66WVC4M16EALL-7010BLI

製造商：

說明：
SRAM Pseudo SRAM 64Mb

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 2,170

庫存：
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工廠前置作業時間：
14 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1   上限： 127
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$234.60 NT$234.60
NT$217.94 NT$2,179.40
NT$212.84 NT$5,321.00
NT$211.48 NT$10,574.00
NT$209.44 NT$20,944.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: SRAM
RoHS:  
64 Mbit
4 M x 16
70 ns
104 MHz
1.95 V
1.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
VFBGA-54
品牌: ISSI
濕度敏感: Yes
產品類型: SRAM
系列: IS66WVC4M16EALL
原廠包裝數量: 480
子類別: Memory & Data Storage
類型: PSRAM (Pseudo SRAM)
每件重量: 86 mg
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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