IS66WVE2M16EALL-70BLI

ISSI
870-E2M16EALL70BLI
IS66WVE2M16EALL-70BLI

製造商：

說明：
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 310

庫存：
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工廠前置作業時間：
14 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1   上限： 200
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$219.98 NT$219.98
NT$204.68 NT$2,046.80
NT$198.56 NT$4,964.00
NT$193.80 NT$9,690.00
NT$189.38 NT$18,938.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
1.95 V
1.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
品牌: ISSI
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW
濕度敏感: Yes
產品類型: SRAM
系列: IS66WVE2M16EALL
原廠包裝數量: 480
子類別: Memory & Data Storage
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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