IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Name: ISSI IS66WVE2M16EBLL-70BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66E2M16EBLL70BLI
Price: 161.5 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

870-66E2M16EBLL70BLI

製造商編號：

IS66WVE2M16EBLL-70BLI

製造商：

ISSI

說明：

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

規格書:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$161.50	NT$161.50

備用包裝

製造商元件編號:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$156.74

最小值:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ISSI
產品類型:	SRAM
RoHS:
存儲容量:	32 Mbit
組織:	2 M x 16
存取時間:	70 ns
接口類型:	Parallel
電源電壓 - 最大值:	3.6 V
電源電壓 - 最小值:	2.7 V
電源電流 - 最大值:	30 mA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TFBGA-48
品牌:	ISSI
存儲類型:	SDR
濕度敏感:	Yes
產品類型:	SRAM
系列:	IS66WVE2M16EBLL
原廠包裝數量:	480
子類別:	Memory & Data Storage
類型:	Asynchronous
每件重量:	86 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IS66WVE2M16EBLL-70BLI 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8542329000
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.