ISC019N08NM7ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC019N08NM7ATMA
ISC019N08NM7ATMA1

製造商：

說明：
MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$126.14 NT$126.14
NT$82.62 NT$826.20
NT$57.80 NT$5,780.00
NT$52.70 NT$26,350.00
完整捲（訂購多個5000）
NT$52.70 NT$263,500.00
10,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
209 A
1.9 mOhms
20 V
3.2 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 7.5 ns
互導 - 最小值: 70 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5.3 ns
系列: OptiMOS 7
原廠包裝數量: 5000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 28 ns
標準開啟延遲時間: 11 ns
零件號別名: ISC019N08NM7 SP006166279
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOMoss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

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