ISC151N20NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC151N20NM6ATMA
ISC151N20NM6ATMA1

製造商:

說明:
MOSFET IFX FET >150 - 400V

ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

供貨情況

庫存:
0

您仍可購買此商品作為延期交貨訂單。

在途量:
9,395
預期2026/11/12
工廠前置作業時間:
52
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
此產品已報告長備貨期。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲(訂購多個5000)

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™
NT$183.94 NT$183.94
NT$129.88 NT$1,298.80
NT$93.50 NT$9,350.00
NT$91.12 NT$45,560.00
完整捲(訂購多個5000)
NT$74.46 NT$372,300.00
† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
200 V
74 A
15.1 mOhms
- 20 V, 20 V
3.7 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 7 ns
互導 - 最小值: 15 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 10 ns
原廠包裝數量: 5000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 15 ns
標準開啟延遲時間: 10 ns
零件號別名: ISC151N20NM6 SP005562947
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6功率MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6功率MOSFET提供下一代前沿創新和業界最佳效能。OptiMOS 6系列採用薄晶圓技術,可顯著改善效能。相較於替代型產品,OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低30%,且已進行同步整流優化。

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Qrr), and low on‑resistance RDS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

OptiMOS™ 3 N通道MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 N通道MOSFET具有低導通狀態電阻,且採用SuperSO8無鉛封裝。OptiMOS 3 MOSFET將工業、消費電子和電訊應用中的功率密度提高達百分之50。OptiMOS™ 3具有40V、60V和80V N通道MOSFET,及SuperSO8和Shrink SuperSO8 (S3O8)封裝型號。相較於標準電晶體輪廓(TO)封裝,SuperSO8將功率密度提高達百分之50。