KTDM4G3C618BGIEAT

Name: SMART KTDM4G3C618BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C618BGIEAT
Price: 1160.46 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

473-M4G3C618BGIEAT

製造商編號：

KTDM4G3C618BGIEAT

製造商：

SMARTsemi

說明：

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Industrial

規格書:

KTDM4G3C618BGIEAT 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	SMART
產品類型:	DRAM
RoHS:
類型:	SDRAM - DDR3L
存儲容量:	4 Gbit
數據匯流排寬度:	16 bit
最高時鐘頻率:	933 MHz
封裝/外殼:	FBGA-96
組織:	256 M x 16
電源電壓 - 最小值:	1.283 V
電源電壓 - 最大值:	1.575 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	KTDM
封裝:	Tray
品牌:	SMARTsemi
濕度敏感:	Yes
安裝風格:	SMD/SMT
產品類型:	DRAM
原廠包裝數量:	198
子類別:	Memory & Data Storage

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規格書

KTDM4G3C618BGIEAT 規格書 (PDF)

合規守則

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國台灣
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.