KTDM4G4B626BGCEAT

SMARTsemi
473-M4G4B626BGCEAT
KTDM4G4B626BGCEAT

製造商:

說明:
DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial

ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 86

庫存:
86 可立即送貨
工廠前置作業時間:
39 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$341.36 NT$341.36
NT$317.22 NT$3,172.20
NT$307.36 NT$7,684.00
NT$300.22 NT$15,011.00
NT$292.74 NT$29,274.00
NT$282.88 NT$56,010.24
NT$275.74 NT$163,789.56
NT$274.04 NT$325,559.52
2,574 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
SMART
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
4 Gbit
16 bit
1.333 GHz
FBGA-96
256 M x 16
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 85 C
KTDM
Tray
品牌: SMARTsemi
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 198
子類別: Memory & Data Storage
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).