KTDM4G4B826BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B826BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B826BGCEAT
Price: 341.7 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

473-M4G4B826BGCEAT

製造商編號：

KTDM4G4B826BGCEAT

製造商：

SMARTsemi

說明：

DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial

規格書:

KTDM4G4B826BGCEAT 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$341.70	NT$341.70
	NT$322.66	NT$3,226.60
	NT$282.88	NT$59,404.80
	NT$275.74	NT$115,810.80
	NT$274.04	NT$287,742.00
2,520	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	SMART
產品類型:	DRAM
RoHS:
類型:	SDRAM - DDR4
存儲容量:	4 Gbit
數據匯流排寬度:	8 bit
最高時鐘頻率:	1.333 GHz
封裝/外殼:	FBGA-78
組織:	512 M x 8
電源電壓 - 最小值:	1.14 V
電源電壓 - 最大值:	1.26 V
最低工作溫度:	0 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	KTDM
封裝:	Tray
品牌:	SMARTsemi
濕度敏感:	Yes
安裝風格:	SMD/SMT
產品類型:	DRAM
原廠包裝數量:	210
子類別:	Memory & Data Storage

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

KTDM4G4B826BGCEAT 規格書 (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).